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J-GLOBAL ID：200903001153921247
高純度ムライトの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野村 滋衛 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991145355
Publication number (International publication number)：1995048170
Application date： May. 21, 1991
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 耐熱構造材料などに用いる比較的低温度の焼成で、耐熱性に優れ、かつ高純度なムライトを提供すること。【構成】 アルミニウムアルコキシドとケイ素アルコキシドを含有し、Al/Si 原子比が2〜7未満である混合物を、芳香族炭化水素溶媒中で200°Cから350°Cの温度で反応させ、得られた反応生成物を900°C以上の温度で焼成する。【効果】 1000°C以下の比較的低温度の焼成でムライトを得ることができ、かつ合成工程を簡略化できることにより、不純物の混入を回避できる結果、高純度なムライトを得ることができる。さらに、得られるムライトは1000°C以上の高温で焼成した後でも高表面積を維持し、優れた耐熱性を有しているので、触媒担体、特に高温燃焼触媒の担体として、また耐熱構造材料として適性を備えている。
Claim (excerpt)：
アルミニウムアルコキシドとケイ素アルコキシドとを含有し、Al/Si 原子比が2〜7未満である混合物を、芳香族炭化水素溶媒中で200°Cから350°Cの温度で反応させ、得られた反応生成物を900°C以上の温度で焼成することを特徴とする高純度ムライトの製造方法。
Patent cited by the Patent：
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