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J-GLOBAL ID：200903001155592178
ダイヤモンド結晶の選択成長法及び選択エピタキシャル成長法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993214011
Publication number (International publication number)：1995069793
Application date： Aug. 30, 1993
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：
【要約】【構成】 半導体基板上に絶縁性マスクを形成した後に、少なくとも炭素を含有するプラズマ中で前記基体に-20V〜-400Vまたは40V〜400Vのバイアス電圧を印加してダイヤモンド結晶核を形成するプラズマ処理を施した後に、気相合成法を用いて前記絶縁性マスクパターン以外の部分に選択的にダイヤモンド結晶を形成する。【効果】 ダイヤモンド結晶核を導電性の領域に形成する一方、ダイヤモンド結晶核を生じない絶縁性マスクの形成された領域を作ることにより、多数のダイヤモンド結晶核が存在する領域では選択的にダイヤモンド結晶の成長が促進されるので、ダイヤモンド結晶の選択成長法を実現することができる。
Claim (excerpt)：
気相合成法を用いた、ダイヤモンド結晶の選択成長法において、半導体基板上に絶縁性マスクを形成した後に、少なくとも炭素を含有するプラズマ中で前記基体に-20V〜-400Vまたは40V〜400Vのバイアス電圧を印加してダイヤモンド結晶核を形成するプラズマ処理を施した後に、気相合成法を用いて前記絶縁性マスクパターン以外の部分に選択的にダイヤモンド結晶を形成することを特徴とするダイヤモンド結晶の選択成長法。
IPC (3)：
C30B 29/04
, C23C 16/26
, H01L 21/205
