Pat

J-GLOBAL ID：200903001155624304

量子位相電荷結合素子

Inventor： ブレイス アレクサンドル ,  ヒルトン ジェルミ ピー
Applicant, Patent owner： ディー-ウェイヴ システムズ インコーポレイテッド
Agent (4)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003577344
Publication number (International publication number)：2005521248
Application date： Mar. 14, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：

メゾスコピック位相素子及びメゾスコピック電荷素子を含む超伝導構造体。超伝導構造体は更に、メゾスコピック位相素子の量子状態とメゾスコピック電荷素子の量子状態とが相互作用するように、メゾスコピック位相素子とメゾスコピック電荷素子とを結合する機構を含む。別の態様では、超伝導構造体は、メゾスコピック電荷素子の量子状態を読み出す機構を含む。

Claim (excerpt)：

メゾスコピック位相素子と、 メゾスコピック電荷素子と、 前記メゾスコピック位相素子の量子状態と、前記メゾスコピック電荷素子の量子状態とが相互作用するように、メゾスコピック位相素子とメゾスコピック電荷素子とを結合する機構と、 を有することを特徴とする超伝導構造体。

IPC (1)：

H01L39/22

FI (2)：

H01L39/22 A ,  H01L39/22 K

F-Term (16)：

4M113AA04 ,  4M113AA05 ,  4M113AA14 ,  4M113AA15 ,  4M113AA25 ,  4M113AC45 ,  4M113AD36 ,  4M113BB09 ,  4M113CA12 ,  4M113CA13 ,  4M113CA14 ,  4M113CA16 ,  4M113CA31 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  4M113CA36