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J-GLOBAL ID:200903001158602166

半導体装置およびその製造方法、並びに半導体モジュール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003118531
Publication number (International publication number):2004327604
Application date: Apr. 23, 2003
Publication date: Nov. 18, 2004
Summary:
【課題】本発明の課題は、高周波特性ばらつきを抑制した小型電力増幅器モジュールに適した半導体装置を低コストで実現することである。【解決手段】本発明の骨子は、次の通りである。ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を用いたモノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)において、エミッタ、ベース、コレクタそれぞれにビアホールを設け、そのうちの一つをMMIC裏面でHBTと相対する位置に設ける。MMIC裏面でHBTと相対する位置以外に設けられたビアホールにおけるMMIC基板側表面電極をいずれもMMIC基板に接して設ける。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
半導体基板に少なくとも半導体素子を有し、前記半導体素子の所望領域へ接続される各導体層の当該半導体素子の外部への導出は、前記半導体基板の半導体素子が搭載される面とは反対側の面側から導出されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (8):
H01L21/60 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L23/12 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L27/082 ,  H01L29/737
FI (5):
H01L21/60 311Q ,  H01L23/12 301Z ,  H01L29/72 H ,  H01L25/04 Z ,  H01L27/08 101B
F-Term (31):
5F003BB01 ,  5F003BC01 ,  5F003BE01 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH00 ,  5F003BJ06 ,  5F003BM03 ,  5F003BN02 ,  5F003BP11 ,  5F003BP21 ,  5F003BP31 ,  5F044KK05 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ04 ,  5F044QQ07 ,  5F044RR06 ,  5F082AA04 ,  5F082BA21 ,  5F082BA35 ,  5F082BA47 ,  5F082BC01 ,  5F082CA02 ,  5F082CA03 ,  5F082DA02 ,  5F082DA03 ,  5F082DA06 ,  5F082EA12 ,  5F082EA22 ,  5F082FA20 ,  5F082GA02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-170284   Applicant:三洋電機株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-082217   Applicant:株式会社日立製作所
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2002-038421   Applicant:松下電器産業株式会社

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