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J-GLOBAL ID：200903001166684732

光電変換素子用半導体膜および光電気化学電池

Inventor： 多田隈 芳夫 ,  金田 卓爾
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 萩野 平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998273742
Publication number (International publication number)：2000106222
Application date： Sep. 28, 1998
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 優れた光電変換効率を有する廉価な光電変換素子および光電気化学電池を提供する。【解決手段】 導電性支持体上に半導体膜が形成された光電変換素子用半導体膜において、半導体膜が少なくとも二つの異なる粒子サイズ分布をもつ半導体微粒子からなり、該半導体膜を加熱処理した後に色素増感する。

Claim (excerpt)：

導電性支持体上に半導体膜が形成された光電変換素子用半導体膜において、半導体膜が少なくとも二つの異なる粒子サイズ分布をもつ半導体微粒子からなり、該半導体膜を加熱処理した後に色素増感したことを特徴とする光電変換素子用半導体膜。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (8)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04 ,  5H032HH06