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J-GLOBAL ID：200903001171582930

化合物半導体結晶層の形成方法

Inventor： 木村 浩也 ,  嶋津 充 ,  香門 浩一
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992018787
Publication number (International publication number)：1993213693
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Aug. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多孔質シリコン基板上に転位や残留応力の少ない化合物半導体の結晶層を形成する方法を提供しようとするものである。【構成】 シリコン基板の表面を多孔質化する多孔質化工程と、化合物半導体結晶の成長工程とを有する化合物半導体の結晶層を形成する方法において、化合物半導体結晶の成長工程で原料ガスやキャリアガスを導入する前に、10-1Torr以下の真空中で500°C以下の比較的低温で加熱することを特徴とする化合物半導体の結晶層の形成方法である。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の表面を多孔質化する多孔質化工程と、化合物半導体結晶の成長工程とを有する化合物半導体の結晶層を形成する方法において、化合物半導体結晶の成長工程で原料ガスやキャリアガスを導入する前に、10-1Torr以下の真空中で500°C以下の比較的低温で加熱することを特徴とする化合物半導体の結晶層の形成方法。

IPC (3)：

C30B 25/18 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205