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J-GLOBAL ID：200903001182968260

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 増渕 昌彦
Applicant, Patent owner： 株式会社河合楽器製作所
Agent (1)： 足立 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001165250
Publication number (International publication number)：2002359335
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 製造コストが低く、かつ、半導体素子等にクラックが発生するのを良好に防止することのできる半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】 LDチップ11が搭載される搭載部3bは下端縁を除いた外周面のほぼ全体が樹脂13から露出し、しかも、溝3cを形成されたことによってその外周面の表面積が一層良好に確保される。従って、極めて良好な放熱性が得られる。また、搭載部3bの内部にはインバー材がクラッドされているため、搭載部3b全体としての熱膨張率は小さくLDチップ11のそれに近い。更に、このような半導体レーザ装置1は、リードフレーム3,5,7を樹脂13で被覆して固定することによって得られるので、その製造コストも大幅に低減することができる。

Claim (excerpt)：

半導体素子と、該半導体素子が搭載されるリードフレームと、該リードフレームを被覆して固定する絶縁部材と、を備えた半導体装置であって、上記リードフレームの上記半導体素子が搭載される搭載部は、そのリードフレームのリード部よりも厚肉に形成され、かつ、上記搭載部の裏面には溝が形成され、上記絶縁部材は、上記搭載部の上記リード部側端縁を被覆することにより、上記リード部側端縁以外の上記搭載部を露出させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/48 ,  H01S 5/02

FI (3)：

H01L 23/48 Y ,  H01L 23/48 V ,  H01S 5/02

F-Term (3)：

5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA28