高耐圧用半導体素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：鈴木正次 , 涌井謙一 , 山本典弘 , 鈴木一永
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007501708
Publication number (International publication number)：2007526651
Application date： Mar. 02, 2005
Publication date： Sep. 13, 2007
Summary：

本発明は高耐圧用半導体素子およびその製造方法に関するものであり、本発明ではゲート電極パターンを半導体基板の底部に埋め込まれて形成すると共に、このゲート電極パターンの両方の側部にソース/ドレイン拡散層のための低濃度不純物層及び高濃度不純物層を順次に積層形成し、これにより、高濃度不純物層がゲート電極パターンと別途の離隔距離を確保しなくても、自身に必要な一連の電圧降下領域を容易に確保できるように誘導することで、高濃度不純物層及びゲート電極パターンの離隔による素子のサイズ増加を事前に防止することができる。このような本発明の実施によって、高濃度不純物層及びゲート電極パターンの離隔必要性が効果的に除去される場合、最終完成する素子のサイズは大幅に減り、結局、素子のサイズ増加による製造コストの上昇問題点も自然に解決される。

Claim (excerpt)：

反転防止層が設けられた素子分離膜によって定義された半導体基板の活性領域に埋め込まれて形成されたゲート電極パターンと、前記ゲート電極パターンの縁を取り囲むゲート絶縁膜パターンと、前記ゲート絶縁膜パターンと接触するように、前記ゲート電極パターンの両方に位置し、前記半導体基板の活性領域の上層にイオン注入形成された高濃度不純物層と、前記ゲート絶縁膜パターンと接触するように前記ゲート電極パターンの両方に位置し、前記高濃度不純物層の下部にイオン注入形成された低濃度不純物層を含むことを特徴とする高耐圧用半導体素子。

IPC (1)：

H01L 29/78

FI (1)：

H01L29/78 301V

F-Term (17)：

5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BB04 , 5F140BB06 , 5F140BB13 , 5F140BC06 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF43 , 5F140BH17 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB02 , 5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平3-087069
特開昭61-125084
特開昭59-086265

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