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J-GLOBAL ID：200903001211610990

有機けい素重合体およびこれを用いる半導体装置の製造方法

Inventor： 福山 俊一 ,  小林 倫子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991212111
Publication number (International publication number)：1993051458
Application date： Aug. 23, 1991
Publication date： Mar. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 有機けい素重合体に関し、多層配線構造半導体装置の層間絶縁膜に有用な感光性耐熱樹脂を提供することを目的とする。【構成】 式〔(R1 )2 Si2 O2 R2 〕n (式中、SiはOまたはR2 のアリーレン基を介して他のSiと結合して網状分子鎖を形成し、R1 がヒドロキシ置換アリール基を含んでSiに結合する重合度4〜25,000の骨格構造体の末端のSiに、エポキシ基、低級アルキル基またはアリール基が結合して重量平均分子量が3,000〜5,000,000である有機けい素重合体を提供し、この重合物に対してナフトキノンジアジドを5〜15重量%添加して感光性樹脂組成物とし、かつこれを半導体装置の層間絶縁膜とするように構成する。

Claim (excerpt)：

式〔(R1 )2 Si2 O2 R2 〕n (I)(式中、SiはOまたはR2 を介して他のSiと結合して網状分子鎖を形成し、R1 はSiに結合し、R1 の20%以上がヒドロキシ置換アリール基を表し、残りのR1 が低級アルキル基、アリール基または低級アルキル置換アリール基を表し、R2 がヒドロキシ置換または非置換のアリーレン基を表し、nが4〜25,000の整数である)で示される骨格構造体の末端のSiに (R3 )3 (II)(式中、R3 がエポキシ基、低級アルキル基またはアリール基を表す)が結合し、重量平均分子量が3,000〜5,000,000であることを特徴とする有機けい素重合体。

IPC (5)：

C08G 77/04 NUG ,  C08G 77/50 NUM ,  G03F 7/023 ,  G03F 7/075 511 ,  H05K 3/06