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J-GLOBAL ID：200903001214302707

試料作製装置および試料作製方法

Inventor：
長 谷 川 史 憲

About 長 谷 川 史 憲

, 
吉 岡 忠 則

About 吉 岡 忠 則


Applicant, Patent owner：
日本電子エンジニアリング株式会社

About 日本電子エンジニアリング株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003323248
Publication number (International publication number)：2005091094
Application date： Sep. 16, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：
【課題】 観察に適した良好な試料を作製できる試料作製装置および試料作製方法を提供する。【解決手段】 試料6のイオンエッチング中に、試料ステージが傾斜軸kの周りに繰り返し往復傾斜される。このため、図9(b)に示すように、試料6は遮蔽材12と一緒に矢印Tで示すように繰り返し往復傾斜されながらイオンエッチングされる。このようにすれば、従来において前記物質Mで隠されていた非エッチング部Sa(図9(b)参照)もエッチングされ、その結果物質Mを試料6から切り離すことができる。そして最終的に図9(c)に示すように、遮蔽材12のエッジ端部12aを境界として試料6に照射されたイオンビームIBによって、試料6上の前記試料加工位置S0およびその周辺部がエッチングされる。図9(c)において、Sはオペレーターが得たかった試料断面であり、この試料断面Sは後で走査電子顕微鏡などで観察される。【選択図】 図9
Claim 1：
真空チャンバ内に配置され、試料にイオンビームを照射するためのイオンビーム照射手段と、 前記真空チャンバ内に配置され、前記イオンビームにほぼ垂直な方向の傾斜軸をもつ傾斜ステージと、 その傾斜ステージ上に配置され、前記試料を保持する試料ホルダと、 前記傾斜ステージ上に位置し、前記試料を照射するイオンビームの一部を遮る遮蔽材と を備えた試料作製装置であり、 前記傾斜ステージの傾斜角を変化させながら、前記イオンビームによる試料加工を行うようにしたことを特徴とする試料作製装置。
IPC (2)：
G01N1/28 ,  H01J37/20
FI (2)：
G01N1/28 F ,  H01J37/20 A
F-Term (11)：
2G052DA33 ,  2G052EC14 ,  2G052EC18 ,  2G052GA32 ,  2G052GA34 ,  2G052GA35 ,  2G052HC06 ,  2G052JA16 ,  5C001AA01 ,  5C001AA05 ,  5C001CC08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特許第3263920号公報
Cited by examiner (8)
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