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J-GLOBAL ID：200903001225149722

結晶成長方法

Inventor： 加藤 芳健
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992206230
Publication number (International publication number)：1994029228
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高いキャリア濃度を有するNドープ化合物半導体を安価に成長させることのできる結晶成長方法を提供する。【構成】 窒素のドーピング原料として、ヒドラジン(N2H4)を用いる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体を成長する結晶成長方法において、窒素のドーピング原料として、化学式N2H4で表されるヒドラジンを用いることを特徴とする結晶成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/223