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J-GLOBAL ID：200903001230044564
単結晶炭化ケイ素の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992148834
Publication number (International publication number)：1993319997
Application date： May. 15, 1992
Publication date： Dec. 03, 1993
Summary：
【要約】【目的】 スライシングの手間と時間を省ける上、スライシングによる結晶性の悪化を防止できるようにした単結晶炭化ケイ素の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 粉末状の炭化ケイ素4を加熱して昇華させ、炭化ケイ素単結晶からなる基板上に再結晶させて炭化ケイ素6を成長させる単結晶炭化ケイ素の製造方法において、炭化ケイ素6の成長方向を規制する板5を設け、板の面方向に炭化ケイ素を成長させる。
Claim (excerpt)：
粉末状の炭化ケイ素を加熱して昇華させ、炭化ケイ素単結晶からなる基板上に再結晶させて炭化ケイ素を成長させる単結晶炭化ケイ素の製造方法において、炭化ケイ素の成長方向を規制する板を設け、炭化ケイ素を任意の厚さの板状に成長させることを特徴とする単結晶炭化ケイ素の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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