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J-GLOBAL ID:200903001237670193

逐次的横方向結晶化法による処理中及び処理後のシリコンフィルムの表面平坦化法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 杉村 憲司 ,  杉村 興作 ,  来間 清志 ,  藤谷 史朗 ,  澤田 達也 ,  藤原 英治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007062610
Publication number (International publication number):2007288159
Application date: Mar. 12, 2007
Publication date: Nov. 01, 2007
Summary:
【課題】順次側方凝固プロセスによって生産する多結晶または単結晶の薄膜フィルムの表面粗さを低減するシステム及び方法を提供する。【解決手段】所定流束量の複数のエキシマレーザパルスを発生するエキシマレーザ110と、薄膜フィルムを厚さ方向に完全に融解させるのに必要な流束量以下になるように可制御的に変調するエネルギ密度変調器120と、ビーム均一化器144と、薄膜フィルムの前記レーザパルスに対応する部分の融解を行うための試料台170と、前記試料台170の前記レーザパルスに対する相対位置を可制御的に平行移動する平行移動手段と、前記エキシマパルスの発生及び流束量の変調を前記試料台170の相対位置に合わせて実行し、従って、前記試料台170を前記レーザパルスに対して順次平行移動することによって前記多結晶または単結晶の薄膜フィルムを処理するコンピュータ100とを具えている。【選択図】図1
Claim (excerpt):
アモルファスシリコン薄膜フィルムの試料を処理して、表面粗さを低減した単結晶または多結晶のシリコン薄膜フィルムにする方法において、 (a) 前記シリコンフィルムの融解中及び再凝固中の収縮及び膨脹に耐えるのに十分な厚さを有する前記アモルファスシリコン薄膜フィルムの試料上に、剛性のキャップ層を形成するステップと; (b) エキシマレーザのパルス列を発生するステップと; (c) 前記パルス列中の各エキシマレーザパルスを所定流束量に可制御的に変調するステップと; (d) 所定の平面において、前記パルス列中の前記変調した各レーザパルスを均一化するステップと; (e) 前記パルス列中の、流束量を制御して均一化した各レーザパルスの一部をマスクして、パターン化した小ビームの流束量を制御したパルス列を発生するステップと; (f) 前記アモルファスシリコン薄膜フィルムの試料を、前記パターン化した小ビームの流束量を制御したパルス列で照射して、前記試料の、前記パターン化した小ビームのパルス列中の流束量を制御した各パルスに対応する部分の融解を行うステップと; (g) 前記試料を、前記パターン化した小ビームの流束量を制御した各パルスに対して可制御的に順次平行移動して、これにより、前記アモルファスシリコン薄膜フィルムの試料を処理して、単結晶または多結晶のシリコン薄膜フィルムにするステップと; (h) 前記単結晶または多結晶のシリコン薄膜フィルムから前記キャップ層を除去するステップと を具えていることを特徴とする方法。
IPC (1):
H01L 21/20
FI (1):
H01L21/20
F-Term (16):
5F152AA08 ,  5F152AA13 ,  5F152CD13 ,  5F152CE05 ,  5F152CE24 ,  5F152CF13 ,  5F152EE05 ,  5F152FF03 ,  5F152FF28 ,  5F152FG03 ,  5F152FG19 ,  5F152FG29 ,  5F152FH03 ,  5F152FH04 ,  5F152FH05 ,  5F152FH19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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