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J-GLOBAL ID：200903001246521575

整流用半導体装置

Inventor： 若田部 勝 ,  石田 純一
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991295148
Publication number (International publication number)：1993110061
Application date： Oct. 15, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 順方向電圧降下特性を低下させることなく、高い逆方向電圧領域まで逆漏れ電流を小さな値に抑制した整流用半導体装置の提供を目的とする。【構成】 一導電型半導体N、金属層M及びそれらの間に介在せしめた第2の一導電型半導体層PEIから成り、第2の一導電型半導体PEI層は前記の一導電型半導体Nと金属層Mによるショットキバリアハイトと同等程度の電子ポテンシアルを保持するPotential Equalized Layer(PEL)としたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体、金属層及びそれらの間に介在せしめた第2の一導電型半導体層から成り、第2の一導電型半導体層は、前記一導電型半導体と前記金属層によるショットキバリアハイトと同等程度の電子ポテンシアルを保持するようにしたことを特徴とする整流用半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/48 ,  H01L 29/91

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-175472
  
• 特開昭59-005676