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J-GLOBAL ID：200903001250857995

化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 小河 淳 ,  花岡 大介
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000260302
Publication number (International publication number)：2001144378
Application date： Aug. 30, 2000
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系発光素子における、クラッド層とガイド層及び発光層との格子歪みを抑えて高い結晶性の発光素子を得ることによって、高性能の発光素子を得ることを目的とする。【解決手段】 上記目的を達成するために、AlGaNからなる第1のクラッド層と、AlGaNからなる第2のクラッド層と、前記第1および第2のクラッド層に挟まれた活性層を有するGaN系化合物半導体発光素子において、前記第1のクラッド層は、Al<SB>y1</SB>Ga<SB>1-y1</SB>N(y1≦1)薄膜と、Al<SB>z1</SB>Ga<SB>1-z1</SB>N(0.005≦z1<y1)薄膜とが交互に積層されてなるGaN系化合物半導体発光素子の構造を提案する。

Claim (excerpt)：

AlGaNからなる第1のクラッド層と、AlGaNからなる第2のクラッド層と、前記第1および第2のクラッド層に挟まれた活性層を有するGaN系化合物半導体発光素子において、前記第1のクラッド層は、Al<SB>y1</SB>Ga<SB>1-y1</SB>N(y1≦1)薄膜と、Al<SB>z1</SB>Ga<SB>1-z1</SB>N(0.005≦z1<y1)薄膜とが交互に積層されてなることを特徴とするGaN系化合物半導体発光素子。

IPC (4)：

H01S 5/323 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01S 5/323 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C