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J-GLOBAL ID：200903001256084726

光半導体装置

Inventor： 穴山 親志
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994240134
Publication number (International publication number)：1996107248
Application date： Oct. 04, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体レーザに関し、レーザ発振時に活性層に残る空乏層幅を狭くすることにより、電流による発熱を低減して発光効率や特性温度を向上させる。【構成】n型の化合物半導体基板21上に少なくともn型の第1の半導体層24と、ガイド層25a,25cと障壁層302と井戸層301とを有する活性層25と、p型の第2の半導体層26とを備え、少なくともガイド層25a,25c及び障壁層302のうちいずれかは歪層となっており、歪層は発光領域402において圧電効果によりn側からp側の向きに電界を発生し、かつ非発光領域401,403において圧電効果を殆ど或いは全く生じさせていないことを含む。

Claim (excerpt)：

n型の化合物半導体基板上に少なくともn型の第1の半導体層と、ガイド層と障壁層と井戸層とを有する活性層と、p型の第2の半導体層とを備え、少なくとも前記ガイド層及び前記障壁層のうちいずれかは歪層となっており、前記歪層は発光領域において圧電効果により前記n側から前記p側の向きに電界を発生していることを特徴とする光半導体装置。