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J-GLOBAL ID：200903001265873431

フォトレジスト塗布方法、およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法、ならびにフォトレジスト塗布装置

Inventor： 山上 孝 ,  金井 昭司 ,  田宮 洋一郎 ,  大金 信哉 ,  原島 正成 ,  石内 正宏 ,  兼松 雅義 ,  黒岩 慶造
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995130412
Publication number (International publication number)：1996330206
Application date： May. 29, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高回転でフォトレジストを滴下してフォトレジストの使用量を低減するとともに、基板(ウェハ)上へのフォトレジストの成膜において高精度の面内膜厚精度を得ることができるフォトレジスト塗布技術を提供する。【構成】 ウェハ上にフォトレジストを滴下し、このウェハを回転させることにより所定の膜厚にフォトレジストを成膜する塗布装置であって、フォトレジストをウェハ上に回転塗布する際に、ウェハをフォトレジストの成膜回転数RLより高い回転数RHで回転させながらフォトレジストを滴下してウェハの全面に広げた後、ウェハの回転数を減速して乱流発生回転数RRより低い所定の膜厚になる成膜回転数RLでフォトレジストの成膜を行うようにウェハ回転数を制御する塗布方法となっている。

Claim (excerpt)：

基板上にフォトレジストを滴下し、この基板を回転させることにより前記フォトレジストによる塗布膜を所定の膜厚に成膜する塗布方法であって、前記フォトレジストを前記基板上に回転塗布する際に、前記基板を前記フォトレジストの成膜回転数より高い回転数で回転させながら前記フォトレジストを滴下して前記基板の全面に広げた後、前記基板の回転数を減速して所定の膜厚になる前記成膜回転数で前記フォトレジストの成膜を行うことを特徴とするフォトレジスト塗布方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  B05C 5/00 ,  B05D 1/40 ,  G03F 7/16 502 ,  B05C 11/08

FI (5)：

H01L 21/30 564 D ,  B05C 5/00 Z ,  B05D 1/40 A ,  G03F 7/16 502 ,  B05C 11/08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平3-245875
  
• 特開平2-229577
  
• 特開昭59-154444
  
• 特開平2-126970
  

Cited by examiner (2)

• 特開平3-245875
  
• 特開平2-229577