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J-GLOBAL ID：200903001271174944

半導体レーザモジュール

Inventor： 青柳 利隆 ,  宮崎 泰典
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 大岩 増雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996170829
Publication number (International publication number)：1998022575
Application date： Jul. 01, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザチップで発生した熱を効率よくモジュール外に発散させ、チップの温度上昇を軽減し、温度特性に優れた半導体レーザモジュールを得る。【解決手段】 リードフレーム1のフェルール2を固定する箇所に、深さdの堀り込み10を設け、その上にフェルール2を固定し、光ファイバ3と半導体レーザチップ4の光軸を調整する。Si基板の厚さTs、フェルール2の半径R、堀り込み10の深さdの関係がほぼTs+d=Rとなるように設定すれば、光ファイバ3と半導体レーザチップ4の光結合を得ることができる。この半導体レーザモジュールでは、リードフレーム1の底面が平坦になったことにより半導体レーザチップ4からの熱流9は半導体レーザチップ4の直下で設置面8に対して放散され、高温特性の良好な半導体レーザモジュールが得られる。

Claim (excerpt)：

光ファイバの出力端に取り付けられた円筒状保護部材、半導体レーザチップを搭載し、且つ表面に上記光ファイバの入力端側を固定するための溝を有する基板、上記円筒状保護部材および上記基板を固定するリードフレームを備え、このリードフレームの上記円筒状保護部材固定部と上記基板固定部に高低差を設け、上記光ファイバの入力端と上記半導体レーザチップの出力部の高さが一致するように構成したことを特徴とする半導体レーザモジュール。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  H05K 7/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  H05K 7/00