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J-GLOBAL ID：200903001279435720

ガーネット単結晶膜の製造方法

Inventor： 水埜 嗣伸 ,  鷹木 洋 ,  藤井 高志 ,  藤野 優 ,  関島 雄徳 ,  近川 修
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993109045
Publication number (International publication number)：1994321680
Application date： May. 11, 1993
Publication date： Nov. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 酸化物単結晶基板上へガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長法によって育成する方法において、下地の酸化物単結晶基板を研磨しない方法を提供する。【構成】 スライスした下地用の酸化物単結晶基板を酸によりエッチングしたのち、該酸化物単結晶基板表面にガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長法により育成する。

Claim (excerpt)：

酸化物単結晶基板上へガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長法により製造する方法において、酸化物単結晶基板を酸によりエッチングしたのち、該酸化物単結晶基板表面にガーネット単結晶膜を育成することを特徴とするガーネット単結晶膜の製造方法。

IPC (4)：

C30B 19/04 ,  C30B 29/28 ,  H01F 10/24 ,  H01F 41/28