Pat
J-GLOBAL ID:200903001298239827
高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小越 勇 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002009907
Publication number (International publication number):2003213405
Application date: Jan. 18, 2002
Publication date: Jul. 30, 2003
Summary:
【要約】【課題】 300mmウエハを用いた製造プロセスにおいても、スパッタリング効率が高く、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)とプラズマのイグニッション(点弧)性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】 マグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットであって、該ターゲットの透磁率が100未満であることを特徴とするスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット。
Claim (excerpt):
マグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットであって、該ターゲットの透磁率が100未満であることを特徴とするスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット。
IPC (13):
C23C 14/34
, C22C 19/03
, C22F 1/10
, G11B 5/851
, C22F 1/00 604
, C22F 1/00 613
, C22F 1/00 661
, C22F 1/00 683
, C22F 1/00 685
, C22F 1/00 686
, C22F 1/00 691
, C22F 1/00
, C22F 1/00 694
FI (14):
C23C 14/34 A
, C22C 19/03 G
, C22F 1/10 K
, G11B 5/851
, C22F 1/00 604
, C22F 1/00 613
, C22F 1/00 661 Z
, C22F 1/00 683
, C22F 1/00 685 Z
, C22F 1/00 686 B
, C22F 1/00 691 B
, C22F 1/00 691 C
, C22F 1/00 694 A
, C22F 1/00 694 B
F-Term (12):
4K029BA12
, 4K029BA25
, 4K029BC06
, 4K029BD11
, 4K029DC03
, 4K029DC04
, 4K029DC07
, 4K029DC08
, 5D112AA05
, 5D112BB01
, 5D112FA04
, 5D112FB14
Return to Previous Page