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J-GLOBAL ID：200903001299119221

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 齊野 敢太
Applicant, Patent owner： エルピーダメモリ株式会社
Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006169766
Publication number (International publication number)：2008004594
Application date： Jun. 20, 2006
Publication date： Jan. 10, 2008
Summary：

【課題】トレンチの底部付近でのシリコン電極層の不純物の濃度を高めた溝型MOSFETを有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板11の表面にトレンチ13を形成する工程と、トレンチ13の表面にゲート絶縁膜14を形成する工程と、トレンチ13内のゲート絶縁膜14上に、トレンチ13の表面に平行な酸素混入層が形成されたシリコン電極層17を堆積する工程と、シリコン電極層17に不純物を注入する工程と、シリコン電極層17を熱処理して不純物を拡散する工程と、を順次に有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に溝型MOSFETを有する半導体装置の製造方法において、 半導体基板の表面にトレンチを形成する工程と、 前記トレンチの表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記トレンチ内のゲート絶縁膜上に、前記トレンチの表面に平行な酸素混入層が形成されたシリコン電極層を堆積する工程と、 前記シリコン電極層に不純物を注入する工程と、 前記シリコン電極層を熱処理して前記不純物を拡散する工程と、 を順次に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28

FI (6)：

H01L29/78 301V ,  H01L27/10 671B ,  H01L27/10 681F ,  H01L27/08 102C ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301A

F-Term (66)：

4M104BB01 ,  4M104BB37 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD55 ,  4M104DD78 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB12 ,  5F048BB19 ,  5F048BB20 ,  5F048BD06 ,  5F048BG13 ,  5F083AD04 ,  5F083JA32 ,  5F083JA33 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083ZA05 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140AB09 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BB03 ,  5F140BC15 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF33 ,  5F140BF34 ,  5F140BF35 ,  5F140BF38 ,  5F140BF43 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG44 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

• メモリ素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-205215   Applicant：三星電子株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-191508   Applicant：日本電気株式会社
• 固定値-メモリセルアレイおよびその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-520069   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-162961   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-242440   Applicant：富士電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-355633   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-094480   Applicant：富士電機株式会社
• 特開平4-114476
  
• 特開昭63-197328
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-320964   Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-357123   Applicant：新電元工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• The Breakthrough in data retention time of DRAM using Recess-Channel-Array Transistor(RCAT) for 88nm