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J-GLOBAL ID：200903001300096044

半導体不揮発性メモリ及びその製造方法

Inventor： 河津 佳幸 ,  辻本 雅夫 ,  小野 隆
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993133280
Publication number (International publication number)：1994216393
Application date： Jun. 03, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 従来より小型かつ特性が良い半導体不揮発性メモリを提供すること。【構成】 シリコン基板61に、y方向に長尺なアクティブ領域63であって複数のメモリセルをy方向に順次に作り込むためのアクティブ領域63を、x方向に複数並べて設ける。メモリセル65として、フローティングゲート69、コントロールゲート71、ソース領域及びドレイン領域を有しアクティブ領域63を能動層とし使用するメモリセル65を具える。各メモリセル65のコントロールゲート71上を上面絶縁膜で被覆し、フローティングゲート69及びコントロールゲート71の側壁を側壁絶縁膜81bによって被覆してある。x方向に並ぶ各メモリセル65のソース領域同士を接続するためのソース配線83をy方向に並べて設けてある。

Claim (excerpt)：

半導体基板に、第1の方向に長尺なアクティブ領域であって複数のメモリセルを前記第1の方向に順次に作り込むためのアクティブ領域を、第2の方向に複数並べて設けてあり、前記メモリセルとして、フローティングゲート、コントロールゲート、ソース領域及びドレイン領域を有し前記アクティブ領域を能動層とし使用するメモリセルを具え、各メモリセルのフローティングゲート及びコントロールゲートの上面及び側壁を絶縁膜によって被覆してあり、前記第2の方向に並ぶ各メモリセルのソース領域同士を接続するためのソース配線を前記第1の方向に並べて設けてあることを特徴とする半導体不揮発性メモリ。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434