Pat
J-GLOBAL ID：200903001317623250

磁気抵抗効果装置、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置

Inventor：
平田 京

About 平田 京

, 
原 晋治

About 原 晋治

, 
金谷 貴保

About 金谷 貴保

, 
加々美 健朗

About 加々美 健朗


Applicant, Patent owner：
TDK株式会社

About TDK株式会社


Agent (1)： 星宮 勝美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006222565
Publication number (International publication number)：2008047737
Application date： Aug. 17, 2006
Publication date： Feb. 28, 2008
Summary：
【課題】磁気抵抗効果素子の感磁層を単磁区化するためのバイアス磁界を感磁層に印加するバイアス磁界印加層の保磁力を大きくして、安定したバイアス磁界を感磁層に印加できるようにする。【解決手段】MR素子5は、外部磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層25を有している。2つのバイアス磁界印加層6は、MR素子5の2つの側面5a,5bに隣接するように配置されている。バイアス磁界印加層6は、非磁性の中間層62と、この中間層62を挟むように配置された第1の磁性層61および第2の磁性層63とを有している。第1の磁性層61と第2の磁性層63は、RKKY相互作用によって反強磁性的に交換結合している。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
外部磁界に応じて磁化の方向が変化する感磁層を有し、外部磁界に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、 外部磁界が印加されない状態において前記感磁層を単磁区化するためのバイアス磁界を前記感磁層に印加するバイアス磁界印加層とを備えた磁気抵抗効果装置であって、 前記磁気抵抗効果素子は、前記感磁層の側面を含む側面を有し、前記バイアス磁界印加層は前記磁気抵抗効果素子の側面に隣接するように配置され、 前記バイアス磁界印加層は、互いに反対側を向く第1および第2の面を有する非磁性の中間層と、前記第1の面に隣接するように配置された第1の磁性層と、前記第2の面に隣接するように配置された第2の磁性層とを有し、前記第1の磁性層と第2の磁性層は反強磁性的に交換結合していることを特徴とする磁気抵抗効果装置。
IPC (2)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39
FI (3)：
H01L43/08 B ,  G11B5/39 ,  H01L43/08 Z
F-Term (29)：
5D034BA04 ,  5D034BA21 ,  5D034BB12 ,  5D034CA08 ,  5F092AA15 ,  5F092AB03 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD06 ,  5F092BB03 ,  5F092BB10 ,  5F092BB15 ,  5F092BB17 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB53 ,  5F092BB59 ,  5F092BB66 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC09 ,  5F092BC18 ,  5F092BC22 ,  5F092BE27
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM