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J-GLOBAL ID：200903001320349895

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 向井 幹雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995223038
Publication number (International publication number)：1997069622
Application date： Aug. 31, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の素子と電極との接続部におけるコンタクト抵抗の増大によって、動作特性が不安定もしくは劣化している。【解決手段】 第1導電層12とこれに接続する第2導電層14とを有する半導体装置において、第1導電層12と第2導電層14との接続部に突起状パターン13を形成して、接続部の第1導電層12と第2導電層14との接触面積を増大させ、コンタクト抵抗の低減を図ったものである。または図示はしないが、突起状パターン13の代わりに穴状パターン、線状パターン、溝状パターンを形成したものである。

Claim (excerpt)：

第1導電層と該第1導電層に接続する第2導電層とを備えた半導体装置において、前記第1導電層と前記第2導電層との接続部に突起状パターン、穴状パターン、線状パターンおよび溝状パターンのうちの少なくとも1種類のパターンを形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/41 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 29/44 Z ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 D