Pat
J-GLOBAL ID：200903001320367494
マイクロ構造体の作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998106295
Publication number (International publication number)：1999293486
Application date： Apr. 16, 1998
Publication date： Oct. 26, 1999
Summary：
【要約】【課題】 機械的特性のばらつきが小さく、かつ、機械的強度の経時劣化を抑制する。【解決手段】 表面に電極12を形成した基板11上にスペーサ層13を形成し、さらにその上に潜像層18を形成する。次いで、潜像層18に隣接する位置においてスペーサ層13に開口部15を形成し、電極12を露出させる。その後、電極12を陰極として電気メッキを行い、開口部15内および潜像層18上にメッキ層17を形成する。最後にスペーサ層13を除去し、基板11上に支持柱10bを介して支持されたカンチレバー10aが作製される。
Claim (excerpt)：
基板上に、支持部と、該支持部に前記基板と間隔をおいて支持される板状部とを有する構造体を形成するマイクロ構造体の作製方法であって、表面に電極層が形成された基板上に絶縁材料からなるスペーサ層を形成する工程と、前記スペーサ層上の、作製すべき構造体の板状部が形成される部位に導電性材料からなる潜像層を形成する工程と、前記スペーサ層の、作製すべき構造体の支持部が形成される部位に、前記電極層の一部を露出させた開口部を設ける工程と、前記電極層を陰極として電気メッキを行い、前記開口部内および前記潜像層上にメッキ膜よりなる構造体層を形成する工程と、前記スペーサ層を除去する工程とを有する、マイクロ構造体の作製方法。
IPC (5)：
C25D 1/00 381
, C23F 4/00
, G01B 21/30
, G01N 37/00
, H02N 1/00
C25D 1/00 381
, C23F 4/00 E
, G01B 21/30 Z
, G01N 37/00 G
, H02N 1/00
