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J-GLOBAL ID:200903001321573888

薄膜形成装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992261109
Publication number (International publication number):1994112470
Application date: Sep. 30, 1992
Publication date: Apr. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 ラングミュアーブロジェット(LB膜)の形成に当たり、三次元的に分子配列を制御した膜形成を行なうこと。【構成】 下層液3上に単分子膜2を展開した水槽1と、探針7とその三次元の微小移動を制御するピエゾ素子8と探針7とピエゾ素子を大きな範囲で移動させるための駆動部10及びこれらを制御する制御部9からなる装置で、探針7と単分子膜2との間で流れるトンネル電流により単分子膜2を局所的に改質する。また、探針7により単分子膜7を構成する分子を移動させる。【効果】 三次元的に分子配列が制御された膜形成が可能となるため、LB膜に新たな機能を出現させることに効果がある。
Claim (excerpt):
液面上に展開した単分子膜を基板上に移し取ることによって該基板上にラングミュアーブロジェット(LB)膜を形成する薄膜形成装置において、該LB膜を構成する分子を分子と同等の大きさで操作することにより該LB膜中に該分子が局所的に改質、導入あるいは置換された構造を形成する手段を有し、二次元的若しくは三次元的に分子配列を制御した薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成装置。

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