Pat
J-GLOBAL ID：200903001328490767
フィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物、および該化合物を含有する熱電変換材料
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
友松 英爾 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998272358
Publication number (International publication number)：2000095523
Application date： Sep. 25, 1998
Publication date： Apr. 04, 2000
Summary：
【要約】【課題】 熱電材料における従来材料の持つ問題点、すなわち熱伝導率が高く熱電性能が実用的でない点と原料資源の供給上の問題点を解決し、原料資源が豊富な材料を使用して低コストプロセスにより、熱伝導率を低減した優れた熱電性能を示す熱電変換材料、なかでも、熱電性能が優れ、かつ低コストの熱電変換材料であるスクツッテルダイト型結晶構造をもつCoSb3基材料の提供。【解決手段】 スクッテルダイト型結晶構造を持つCoSb3基化合物の空格子に元素を充填したフィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物において、前記充填元素が該元素のハロゲン化合物、Co元素、Sb元素、Co元素および/またはSb元素の置換元素の固相反応法によってCoSb3基化合物の空格子に充填されたものであることを特徴とするフィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物。
Claim (excerpt)：
スクッテルダイト型結晶構造を持つCoSb3基化合物の空格子に元素を充填したフィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物において、前記充填元素が該元素のハロゲン化合物、Co元素、Sb元素、Co元素および/またはSb元素の置換元素の固相反応法によってCoSb3基化合物の空格子に充填されたものであることを特徴とするフィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物。
F-Term (7)：
4G048AA01
, 4G048AA05
, 4G048AB01
, 4G048AC04
, 4G048AD06
, 4G048AE05
, 4G048AE06
Cited by applicant (1)
-
Co-Sb系熱電材料
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-318193
Applicant：松下電器産業株式会社
Cited by examiner (1)
-
Co-Sb系熱電材料
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-318193
Applicant：松下電器産業株式会社
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