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J-GLOBAL ID：200903001349416460

シリコンエピタキシャル膜の成長方法およびその装置

Inventor： 廣井 政幸
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993134090
Publication number (International publication number)：1994326037
Application date： May. 13, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリコン炭素混晶を広い面積にわたって均一に成長する。さらにシリコン酸化膜やシリコン窒化膜上に多結晶を堆積させずに、同一基板上にあるシリコンなどの半導体表面にのみ選択的にシリコン炭素混晶を成長させる。【構成】 シリコン原子を含むガス状原料および炭素原子を含むガス状原料を同時に半導体表面を有する基板上に照射する。

Claim (excerpt)：

シリコン原子を含むガス状原料および炭素原子を含むガス状原料を半導体表面に照射することによって、シリコン炭素混晶膜を半導体表面にエピタキシャル成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャル膜の成長方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-001037
  
• 特開昭63-239931
  
• 特開平3-001541