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J-GLOBAL ID：200903001369575831

エレクトロルミネッセンス材料、その製造方法及び発光素子

Inventor： 松岡 純 ,  神谷 寛一 ,  那須 弘行
Applicant, Patent owner： 新技術事業団
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995109207
Publication number (International publication number)：1996306485
Application date： May. 08, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 p型半導体とn型半導体の積層構造を形成する必要がなく、工程が簡単で、しかも低い、10V以下の低電圧で発光させることができるエレクトロルミネッセンス材料、その製造方法及び発光素子を提供する。【構成】 透明導電体21のマトリックス中に粒径が0.1μm以下の半導体微粒子22が分散した構造を有するエレクトロルミネッセンス材料と、このエレクトロルミネッセンス材料の両側に設けられる+電極23と、-電極24と、これらの電極に10V以下の電圧が印加される直流電源とを具備する。

Claim (excerpt)：

透明導電体のマトリックス中に粒径が0.1μm以下の半導体微粒子が分散した構造を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス材料。

IPC (3)：

H05B 33/00 ,  C09K 11/00 ,  F21K 2/08

FI (3)：

H05B 33/00 ,  C09K 11/00 F ,  F21K 2/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭53-070691
  
• 特開昭63-066282
  
• 特開昭59-181682