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J-GLOBAL ID：200903001377686626
スパッタリング装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993176456
Publication number (International publication number)：1995034242
Application date： Jul. 16, 1993
Publication date： Feb. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 金属ターゲットのエロージョン以外の部分の金属酸化物である絶縁膜の堆積を抑制し異常放電を防止しプラズマを安定化することにより、膜質均一性、成膜速度を向上し、パーティクルを減少する。【構成】 カソード1に電圧を印加し基板7との管でプラズマを発生させる直流電源11と、高周波電源14と、直流電源11に高周波が干渉するのを防止するローパスフィルター15を構成し、金属ターゲット5の表面のエロージョン以外の部分に堆積する金属酸化物である絶縁膜に対し直流電圧に加え高周波電圧を同時に印加することによりチャージアップを防止し放電を安定させる。
Claim (excerpt)：
真空状態の維持が可能な真空チャンバーと、前記真空チャンバー内を減圧雰囲気にする真空ポンプと、真空チャンバー内にスパッタリングガス流量を調整しながら供給するガス供給系と、磁石対を配置されかつターゲットを固定されたカソードと、カソードと対向して配置されスパッタリングにより成膜される基板とを備えたスパッタリング装置において、カソードに電圧を印加し基板との間でプラズマを発生させる直流電源と、高周波電源と、直流電源に高周波が干渉するのを防止するローバスフィルターを備えたことを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3)：
C23C 14/34
, C23C 14/38
, C23C 14/40
