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J-GLOBAL ID：200903001387267559

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 上田 徹
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992117779
Publication number (International publication number)：1993315357
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【構成】 多結晶シリコン膜3を塩化水素等のハロゲン元素の水素化合物と酸素ガス等の酸化性気体との混合気体雰囲気中で熱処理する。【効果】 チャンネル領域を構成する多結晶シリコン膜3の欠陥をアニーリング効果によって回復させるだけでなく、この欠陥のうちの主としてダングリングボンドに塩素等のハロゲン元素を結合させることにより不活性化させることができるので、結晶性に優れた多結晶シリコン膜3をチャンネル領域とした応答速度が速くリーク電流の少ない薄膜トランジスタを得ることができるようになる。

Claim (excerpt)：

チャンネル領域に多結晶シリコン膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法であって、非単結晶シリコン膜をハロゲン元素の水素化合物と酸化性気体との混合気体雰囲気中で熱処理をすることにより、該多結晶シリコン膜を形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/324