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J-GLOBAL ID：200903001404777582

フレキシブルハイブリッドメモリエレメント

Inventor： ワレン・ビー・ジャクソン ,  カール・フィリップ・トウシグ ,  クレイグ・パーロフ
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 古谷 聡 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003050559
Publication number (International publication number)：2003273322
Application date： Feb. 27, 2003
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：

【要約】【課題】製造コストが低い廉価なメモリセルアレイを提供するための装置及び方法の提供。【解決手段】本発明はメモリセル装置、及びメモリセルを形成する方法を含む。メモリセル装置はフレキシフ ゙ルハイフ ゙リット ゙メモリエレメントを含む。フレキシフ ゙ルハイフ ゙リット ゙メモリエレメントは、フレキシフ ゙ル基板(310)に隣接して形成された第1のフレキシフ ゙ル導電層(320)を含む。フレキシフ ゙ルタ ゙イオート ゙構造(330)が第1のフレキシフ ゙ル導体(320)に隣接して形成される。フレキシフ ゙ルスイッチ(350)がフレキシフ ゙ルタ ゙イオート ゙構造(330)に隣接して形成される。第2のフレキシフ ゙ル導電層(360)がフレキシフ ゙ルスイッチ(350)に隣接して形成される。フレキシフ ゙ルスイッチ(350)は一般に有機材料から形成される。フレキシフ ゙ルタ ゙イオート ゙構造(330)は一般に、無秩序な無機材料から形成される。フレキシフ ゙ルスイッチ(350)は、閾値量の電流がフレキシフ ゙ルスイッチ(330)を流れる際に高抵抗の経路を生じるように形成され得るか、又はフレキシフ ゙ルスイッチ(330)は、閾値量の電流がフレキシフ ゙ルスイッチ(330)を流れる際に低抵抗の経路を生じるように形成され得る。

Claim (excerpt)：

フレキシブルハイブリッドメモリエレメントからなるメモリ装置であって、そのフレキシブルハイブリッドメモリエレメントが、フレキシブル基板(310)に隣接して形成される第1のフレキシブル導電層(320)と、前記第1のフレキシブル導電層(320)に隣接して形成されるフレキシブルダイオード構造(330)と、前記フレキシブルダイオード構造(330)に隣接して形成されるフレキシブルスイッチ層(350)と、および前記フレキシブルスイッチ層(350)に隣接して形成される第2のフレキシブル導電層(360)とからなる、メモリ装置。

IPC (4)：

H01L 27/10 421 ,  H01L 27/10 495 ,  G11C 13/00 ,  H01L 29/861

FI (4)：

H01L 27/10 421 ,  H01L 27/10 495 ,  G11C 13/00 A ,  H01L 29/91 E

F-Term (4)：

5F083CR15 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39