マスク欠陥修正装置および修正方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996217282
Publication number (International publication number)：1997120156
Application date： Aug. 19, 1996
Publication date： May. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】マスク上に発生した凸欠陥について、低ドーズ量でノイズを抑えて欠陥領域を正確に認識し、かつ集束イオンビームにより欠陥領域のみを除去する。【解決手段】透光性基板50とこの基板50上に形成されたマスク材料51からなるマスクに対し、粒子ビームの照射によりマスク上の欠陥を修正するマスク欠陥修正装置において、マスク上に発生した凸欠陥52を含む領域53にイメージングのための集束イオンビームを照射し、マスクから得られる二次粒子を検出して平面強度分布を検出し、検出された二次粒子の平面強度分布について平滑化処理を行い、更にしきい値を設定し二値化して欠陥領域を認識する。

Claim (excerpt)：

透光性基板と前記基板上に形成されたマスク材料からなるマスクに対し、粒子ビームの照射によりマスク上の欠陥を修正するためのマスク欠陥修正装置において、前記マスクの表面上にイメージングのための粒子ビームを二次元的に走査して照射するイメージングビーム照射手段と、前記イメージングのための粒子ビームの照射により前記マスク表面から放出される二次粒子の第1の強度分布を検出する検出手段と、前記二次粒子の前記第1の強度分布の少なくとも一部を画像処理加工して第2の強度分布を作成する画像処理手段と、複数のピクセルを有し、前記第1の強度分布および前記第2の強度分布を画像として表示する画像表示手段と、前記画像に対して、前記粒子ビームで加工すべき所望の領域を設定するための外部入力手段と、前記加工すべき所望の領域に対して、前記第2の強度分布をもとに、粒子ビーム照射領域を決定する照射領域決定手段と、前記粒子ビーム照射領域に、欠陥修正のための粒子ビームを照射する修正ビーム照射手段と、前記マスクの表面にエッチング用および成膜用のガスのいずれかを供給するガス供給手段と、を具備することを特徴とするマスク欠陥修正装置。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 W , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 502 W

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平2-037346
特開昭63-102231
特開昭63-141060

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