Pat
J-GLOBAL ID：200903001417888421

炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長方法

Inventor：
藤岡 尚起

About 藤岡 尚起

, 
村田 和俊

About 村田 和俊


Applicant, Patent owner：
三井造船株式会社

About 三井造船株式会社


Agent (2)： 村上 友一 ,  大久保 操
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003163874
Publication number (International publication number)：2005001899
Application date： Jun. 09, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：
【課題】マイクロパイプ欠陥が発生しにくく、かつ結晶成長速度を向上させた炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】種結晶基板10にシリコン12を積層して積層体14を形成する第1工程と、積層体14を炭化珪素被覆層16で被覆して複合体18を形成する第2工程と、複合体18をシリコン12の溶融温度よりも十分に高い2000°C以上で熱処理する第3工程とによって種結晶基板12に炭化珪素単結晶のエピタキシャル層20を成長させる。積層体14を被覆する炭化珪素被覆層16はCVD法によって成膜された炭化珪素多結晶であることが好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
種結晶基板にシリコンを積層して積層体を形成する第1工程と、前記積層体を炭化珪素で被覆して複合体を形成する第2工程と、前記複合体を前記シリコンの溶融温度以上で熱処理する第3工程とによって前記種結晶基板に炭化珪素単結晶のエピタキシャル層を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長方法。
IPC (2)：
C30B29/36 ,  C30B19/04
FI (2)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04
F-Term (9)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077EC03 ,  4G077EC05 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA74
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 単結晶SiC及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-313698   Applicant：日本ピラー工業株式会社
  • 特開昭55-149192
  • 特開昭55-116700
Cited by examiner (3)
  • 単結晶SiC及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-313698   Applicant：日本ピラー工業株式会社
  • 特開昭55-149192
  • 特開昭55-116700

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM