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J-GLOBAL ID:200903001422262050

レジスト材料の塗布方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996265476
Publication number (International publication number):1998092734
Application date: Sep. 13, 1996
Publication date: Apr. 10, 1998
Summary:
【要約】【課題】塗布むら等を発生させることなく、少量のレジスト材料で安定した塗布を行いうるレジスト材料の塗布方法を提供する。【解決手段】本発明に係る方法は、半導体基板の中心部にレジスト材料を供給する第1の工程と、このレジスト材料を連続して供給しつつ、レジスト材料が半導体基板の周縁部に向かって円滑に拡がるように半導体基板を高速で回転させる第2の工程とを有する。第1の工程において半導体基板を毎分1000〜1500回転の速度で回転させる一方、第2の工程において半導体基板を毎分3000〜3800回転の速度で回転させる。
Claim (excerpt):
半導体基板の中心部にレジスト材料を供給する第1の工程と、上記レジスト材料を連続して供給しつつ、上記レジスト材料が上記半導体基板の周縁部に向かって円滑に拡がるように上記半導体基板を高速で回転させる第2の工程とを有することを特徴とするレジスト材料の塗布方法。
IPC (4):
H01L 21/027 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  G03F 7/16 502
FI (4):
H01L 21/30 564 D ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 A ,  G03F 7/16 502
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
  • 特開平2-126970
  • 特開平3-245875
  • 塗膜形成方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-020439   Applicant:東京応化工業株式会社
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Cited by examiner (7)
  • 半導体素子の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-027072   Applicant:富士電機株式会社
  • 特開昭62-190838
  • 特開昭62-190838
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