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J-GLOBAL ID:200903001423417171
半導体装置の検査装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
尾川 秀昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001009482
Publication number (International publication number):2002217256
Application date: Jan. 17, 2001
Publication date: Aug. 02, 2002
Summary:
【要約】【課題】 半導体装置の検査装置において、被検査半導体装置、例えば固体撮像装置が形成された半導体ウェハ1を汚染されないように検査できるようにする。【解決手段】被検査半導体装置である半導体ウェハ1を、ステージ2にてその表面を下向きにして下側にて保持できるようにし、該半導体ウェハ1に光を投射する光源4、レンズ5等の光学系及び検査用プローブ3をステージ2の下側に配置して検査をするようにしてなる。更に、ステージ2を、半導体ウェハ1を移動可能に保持できるようにし、以て該半導体ウェハ1を検査位置からダスト除去位置までずらすことができるようにし、そして、ダスト除去位置までずらされた半導体ウェハ1に対してノズル7によりダスト除去材を吐出してダストを除去できるようにする。
Claim 1:
被検査半導体装置を、その表面を下向きにして下側にて保持するステージと、上記ステージに保持された上記被検査半導体装置の上記下向きの表面を照射する光源と、検査時に上記被検査半導体装置の表面に接触せしめられる検査用プローブと、を有することを特徴とする半導体装置の検査装置。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/66 B
, G01R 31/28 K
F-Term (5):
2G132AF02
, 2G132AL00
, 4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106DD30
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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固体撮像素子用プローバ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-051189
Applicant:日本電気株式会社
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プローブ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-216650
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
フォトマスクの異物検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-003726
Applicant:ソニー株式会社
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特開平4-000732
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特開平3-184355
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半導体測定装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-035219
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体テスト装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-027801
Applicant:横河電機株式会社
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特開平3-064942
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半導体結晶の評価方法、半導体結晶薄膜の製造方法及びその製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-029975
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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電気的特性試験装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-201669
Applicant:山形日本電気株式会社
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