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J-GLOBAL ID：200903001449886056

半導体回路

Inventor： 角田 雄二 ,  深澤 善亮 ,  田口 雄一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社 ,  日本電気エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998319234
Publication number (International publication number)：1999220333
Application date： Nov. 10, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 周囲温度が変化した場合における歪特性を補償する。【解決手段】 FETQ1から出力される信号の周囲温度による歪みを補償するために、周囲温度に応じて負の温度特性を有して抵抗値が変化するサーミスタRt1と、周囲温度に応じて正の温度特性を有して抵抗値が変化するサーミスタRt2とを組み合わせた補償回路を設け、その組み合わせを、基準温度において流れる電流が最小となるようにし、それにより、周囲温度が変化した場合における歪みの増大を抑制または防止する。

Claim (excerpt)：

交流信号を増幅して出力する増幅回路を有する半導体回路において、前記増幅回路から出力される信号の周囲温度による歪みを補償する補償回路を有することを特徴とする半導体回路。

IPC (4)：

H03F 1/30 ,  H03F 1/32 ,  H03F 1/34 ,  H03F 3/68

FI (4)：

H03F 1/30 A ,  H03F 1/32 ,  H03F 1/34 ,  H03F 3/68 B