エッチング方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：志賀正武 , 青山正和 , 鈴木慎吾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005091831
Publication number (International publication number)：2006278457
Application date： Mar. 28, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：

【課題】トンネル接合膜10aを所定形状にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。【解決手段】ハロゲン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、TiN、Ti、Ta、ZrまたはHfからなるマスク90を用いて、エッチング対象物を100°C以上400°C以下に加熱しつつトンネル接合膜10aをエッチングして、所定形状のトンネル接合素子10を形成する構成とした。【選択図】図2

Claim 1：

ハロゲン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、TiN、Ti、Ta、ZrまたはHfからなるマスクを用いて、磁性材料膜を所定パターンにエッチングすることを特徴とするエッチング方法。

IPC (5)：

H01L 21/306 , H01L 43/08 , H01L 43/12 , H01L 27/105 , H01L 21/824

FI (4)：

H01L21/302 101C , H01L43/08 Z , H01L43/12 , H01L27/10 447

F-Term (20)：

5F004AA02 , 5F004BA20 , 5F004BB26 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA04 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA13 , 5F004DA26 , 5F004DB29 , 5F004EA05 , 5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR03 , 5F083PR04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

ドライエッチング用マスク材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-224248 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 科学技術振興事業団, アネルバ株式会社
ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-128792 Applicant：日本電気株式会社
磁性体薄膜の加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-074319 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (3)

ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-128792 Applicant：日本電気株式会社
磁性体薄膜の加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-074319 Applicant：株式会社東芝
磁気メモリ装置の製造方法および磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-129509 Applicant：ソニー株式会社

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