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J-GLOBAL ID:200903001454847867

エッチング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 慎吾
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005091831
Publication number (International publication number):2006278457
Application date: Mar. 28, 2005
Publication date: Oct. 12, 2006
Summary:
【課題】 トンネル接合膜10aを所定形状にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。【解決手段】 ハロゲン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、TiN、Ti、Ta、ZrまたはHfからなるマスク90を用いて、エッチング対象物を100°C以上400°C以下に加熱しつつトンネル接合膜10aをエッチングして、所定形状のトンネル接合素子10を形成する構成とした。【選択図】 図2
Claim 1:
ハロゲン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、TiN、Ti、Ta、ZrまたはHfからなるマスクを用いて、磁性材料膜を所定パターンにエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
IPC (5):
H01L 21/306 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (4):
H01L21/302 101C ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447
F-Term (20):
5F004AA02 ,  5F004BA20 ,  5F004BB26 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA26 ,  5F004DB29 ,  5F004EA05 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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