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J-GLOBAL ID：200903001459907086

薄膜トランジスタ

Inventor： 福島 康守 ,  古宮 秀雄
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995159696
Publication number (International publication number)：1997008314
Application date： Jun. 26, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタ101において、チャネル領域6及び低濃度不純物領域9及び9bでの、結晶粒界に沿って流れるオフ電流を排除して、オフ電流値を低減するとともに、確率的に生ずるオフ電流の増大を回避し、オン/オフ電流比の向上及びそのばらつきの抑制を図る。【構成】 LDD構造のTFT101を構成する半導体層2のチャネル領域6及び低濃度不純物領域9,9bを含む領域の幅を、多結晶シリコンの結晶粒径の1/2よりも狭くした。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成された半導体層と、該絶縁性基板上に該半導体層と絶縁膜を介して対向して位置するよう形成されたゲート電極と、該半導体層のゲート電極と対向する部分に形成されたチャネル領域と、該半導体層内に該チャネル領域の両側に位置するよう形成された高濃度不純物領域とを備え、該半導体層は、そのチャネル領域を、該半導体層を構成する多結晶シリコンの結晶粒界に沿って該両高濃度不純物領域の一方からその他方に至る電流経路が存在しない構造としたものである薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 618 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-195976
  
• 表示素子基板用半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-317343   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭60-195976