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J-GLOBAL ID：200903001459931955

レジスト及びパターン形成方法

Inventor：
小太刀 明子

About 小太刀 明子


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994120050
Publication number (International publication number)：1995325402
Application date： Jun. 01, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は化学増幅レジストに関し、露光部がアルカリ可溶性になり、酸素プラズマ耐性を有する化学増幅レジスト、特にポジ型の化学増幅レジストを提供する。【構成】 一般式【化60】(式中、R1 〜R3 は少なくとも1つのシリコン原子を有する基を表し、A1は酸によって脱離する基を有する繰り返し単位を表す)又は、一般式【化61】(式中、R4 ,R5 は少なくとも1つのシリコン原子を有する基を表し、A2は酸によって脱離する基を有する繰り返し単位を表す)で示されるベース樹脂と、光酸発生剤とを有する。
Claim (excerpt)：
一般式【化1】(式中、R1 〜R3 は少なくとも1つのシリコン原子を有する基を表し、A1は酸によって脱離する基を有する繰り返し単位を表す)で示されるベース樹脂と、光酸発生剤とを有するレジスト。
IPC (5)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (2)：
H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/302 H
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開平2-115853
  • 特開平2-146544
  • ホトレジスト組成物
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-148663   Applicant：信越化学工業株式会社
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