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J-GLOBAL ID：200903001461501461

絶縁膜及び電子素子

Inventor：
清水 達雄

About 清水 達雄

, 
佐竹 秀喜

About 佐竹 秀喜


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (2)： 松山 允之 ,  日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003197808
Publication number (International publication number)：2004179617
Application date： Jul. 16, 2003
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：
【課題】誘電率が高く、かつ、リーク電流の小さな絶縁膜及びこれを用いた電子素子を提供することを目的とする。【解決手段】高誘電率をもつがバリアーの低い物質を、誘電率は低いが高いバリアーを持ったもので挟んだ絶縁膜の量子井戸構造あるいは多重量子井戸構造を用いる。または、▲1▼格子定数を基板に対してプラスマイナス1.5%以内にする、▲2▼障壁高さが高いこと、▲3▼誘電率が大きいこと、という3点の条件を満たす絶縁体を用いる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1のバンドギャップ及び第1の比誘電率を有する材料からなる第1の障壁層と、 前記第1の障壁層の上に設けられ、前記第1のバンドギャップよりも小さい第2のバンドギャップ及び前記第1の比誘電率よりも大きい第2の誘電率を有する材料からなる井戸層と、 前記井戸層の上に設けられ、前記第2のバンドギャップよりも大きい第3のバンドギャップ及び前記第2の比誘電率よりも小さい第3の比誘電率を有する材料からなる第2の障壁層と、 を備え、 前記井戸層において量子効果による離散的な準位が形成されてなることを特徴とする絶縁膜。
IPC (5)：
H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786
FI (7)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/316 M ,  H01L27/04 C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T
F-Term (48)：
5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BF02 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE02 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF10 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG44 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140AC39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG30 ,  5F140CE10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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