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J-GLOBAL ID：200903001467749244
ドライエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992138132
Publication number (International publication number)：1994104226
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 エッチング中にマスクを変形させることで単なるマスクパターンの転写ではできない凸レンズ、フレネルレンズのような立体的な構造を作製する方法を提供する。【構成】 GaAs基板5をエッチングする際に基板のエッチャントである塩素とともにフォトレジストマスクのエッチャントである酸素を混ぜてエッチングを行う。マスクは基板のエッチングの進行とともに後退していき、マスク面積が減少する。これによって、円形マスクパターンを用いてこのエッチング方法を実施することで凸レンズが形成される。
Claim (excerpt)：
ドライエッチングを行う工程において、基板を反応性エッチングするガスとマスク材をエッチングするガスを混ぜるかまたは交互に供給することにより、マスクの形状を変化させつつ基板のエッチンクを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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