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J-GLOBAL ID：200903001470477697

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

Inventor： 細見 忠敬 ,  峯下 健太郎
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (4)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007033418
Publication number (International publication number)：2008187160
Application date： Feb. 14, 2007
Publication date： Aug. 14, 2008
Summary：

【課題】電極を容易にオーミック接続できる半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子1は、基板2上に形成された基板側反射層3と、n型クラッド層4と、発光層5と、p型クラッド層6と、p型コンタクト層7と、電極側反射層8とを備えている。また、半導体発光素子1は、一対のp側電極9及びn側電極10とを備えている。基板2は、n型GaAsからなる。また、基板2は、半導体発光素子1の積層方向の全体の厚みが約60μm以下となるように、積層方向の厚みが約1μm程度になるまでエッチングにより除去されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

GaAsからなる基板上に成長させた半導体層を備えた半導体発光素子において、 前記基板の一部は、前記半導体発光素子の積層方向の厚みが60μm以下となるようにエッチングにより除去されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 B

F-Term (11)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA24 ,  5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 光半導体チップおよび光半導体チップの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-332727   Applicant：ローム株式会社