半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998264643
Publication number (International publication number)：2000100963
Application date： Sep. 18, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】マイクロコントローラー回路とフラッシュメモリー回路を同時に搭載する半導体装置において、著しい工程増加なしに、それぞれの回路のトランジスタゲート電極表面に、それぞれ最適な膜厚の熱酸化膜を成長させる。【解決手段】まず、フラッシュメモリー形成領域に、浮遊ゲート電極用ポリシリコン膜4、容量絶縁膜5を形成する。次にマイクロコントローラー形成領域にそのゲート電極となるポリシリコン膜7を形成し、マイクロコントローラー用ゲート電極8のみを形成する。次に全面にCVD法で酸化膜を堆積し、エッチバックによってゲート電極8の側壁にサイドウォール9を形成する。そしてフラッシュメモリーのゲート電極11を形成した後、ゲート電極の保護と特性安定化のための酸化膜12を熱酸化形成する。こうすればゲート電極8と11の側壁に異なる最適膜厚の酸化膜が形成できる。

Claim 1：

半導体基板上に2種類以上の異なるゲート長を有するトランジスタが形成された半導体装置において、少なくとも1種類のゲート長のトランジスタのゲート電極側壁に化学気相成長法による絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を形成したゲート電極と前記絶縁膜を形成しないトランジスタのゲート電極とを同時に酸化する工程を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/115 , H01L 27/10 461 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/08 102 C , H01L 27/10 461 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

F-Term (28)：

5F001AA08 , 5F001AA22 , 5F001AA63 , 5F001AB08 , 5F001AD03 , 5F001AD12 , 5F001AD62 , 5F001AE50 , 5F001AG02 , 5F001AG21 , 5F048AA09 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB03 , 5F048BB05 , 5F048BB16 , 5F048BG12 , 5F048DA25 , 5F083FZ10 , 5F083GA28 , 5F083JA32 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR44 , 5F083PR49 , 5F083PR54 , 5F083ZA07

Return to Previous Page