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J-GLOBAL ID：200903001477171852

配線形成方法及び配線形成装置

Inventor： 王 新明 ,  尾渡 晃
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (5)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏 ,  廣澤 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006170122
Publication number (International publication number)：2008004615
Application date： Jun. 20, 2006
Publication date： Jan. 10, 2008
Summary：

【課題】配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成した基板の表面を、配線間に電流リークが発生するリスクを低減しつつ確実に洗浄し、しかる後、基板の表面に絶縁膜を形成できるようにする。【解決手段】層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板を用意し、洗浄液を用いたウェット処理で基板の表面を前洗浄し、前洗浄後の基板の表面に絶縁膜を形成する。【選択図】図3

Claim 1：

層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板を用意し、 洗浄液を用いたウェット処理で基板の表面を前洗浄し、 前洗浄後の基板の表面に絶縁膜を形成することを特徴とする配線形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/304

FI (3)：

H01L21/90 J ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 651A

F-Term (14)：

5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH15 ,  5F033MM01 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F033XX31

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特許第3705724号公報
  
• めっき方法、基板形成方法及び基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-003573   Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ