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J-GLOBAL ID：200903001492811833

電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板の製造方法、及び該方法により構成された電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板、又は有機EL素子

Inventor： 北畠 顕弘 ,  城戸 淳二 ,  城戸 直道 ,  梶川 不二雄
Applicant, Patent owner： 三容真空工業株式会社 ,  城戸 淳二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001337200
Publication number (International publication number)：2003109748
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、水蒸気バリア性、ガスバリア性に優れたプラスチックレンズ基板を用いて軽量、且つ長時間にわたり発光特性を維持することのできる電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板の製造方法、及び該方法により構成された電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板、又は有機EL素子を提供することを課題とする。【解決手段】 水蒸気バリア層、及びガスバリア層を有する電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板の製造方法であって、水蒸気バリア層、及びガスバリア層を少なくとも一対の無機層と有機層とからなる無機/有機積層膜で形成し、且つ有機層を熱化学蒸着法、或いはプラズマ重合法を用いて形成することである。

Claim (excerpt)：

水蒸気バリア層、及びガスバリア層を有する電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板の製造方法であって、水蒸気バリア層、及びガスバリア層を少なくとも一対の無機層と有機層とからなる無機/有機積層膜で形成し、且つ有機層を熱化学蒸着法、或いはプラズマ重合法を用いて形成することを特徴とする電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板の製造方法。

IPC (6)：

H05B 33/02 ,  B32B 9/00 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/20 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (6)：

H05B 33/02 ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/20 A ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

F-Term (30)：

3K007AB13 ,  3K007CA05 ,  3K007DB03 ,  4F100AA01A ,  4F100AA12A ,  4F100AA20A ,  4F100AA33A ,  4F100AK01B ,  4F100AK02B ,  4F100AK42 ,  4F100AK43 ,  4F100AK45 ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100EH66B ,  4F100EJ61B ,  4F100GB41 ,  4F100JD02B ,  4F100JD04A ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029AA25 ,  4K029BA35 ,  4K029BA50 ,  4K029BA58 ,  4K029BA62 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029CA05 ,  4K029CA12