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J-GLOBAL ID:200903001494555923

半導体集積回路装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992169777
Publication number (International publication number):1994012135
Application date: Jun. 29, 1992
Publication date: Jan. 21, 1994
Summary:
【要約】【目的】内部電源降圧回路を有する半導体集積回路装置において、外部電源電圧低下時の動作によって、内部電源電圧が著しく低下し、動作性能が悪化するのを防止する。【構成】外部電源電圧と内部電源電圧との差が大きくなると、内部電源電圧が大きく低下しないと検知しないような検知レベルを有し、外部電源電圧が内部電源電圧付近においては、内部電源電圧の小さな低下でも活性化して内部電源を供給し、内部電源の低下を防ぎ、外部電源電圧が高いときは、内部電源電圧が大きく低下しないと活性化せず、内部電源の発振を防ぐ。
Claim (excerpt):
内部降圧電源回路を有する半導体集積回路装置において、外部より半導体集積回路素子に印加される外部電源電圧が低下したことによって起こる動作時の内部降圧電源電圧の低下を検知するレベルを前記外部電源電圧に応じて変化させる手段を有し、前記変化した検知レベルにて活性化される内部電源回路を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

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