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J-GLOBAL ID：200903001496160497

半導体集積回路装置

Inventor： 塩沢 健治 ,  湯本 攻
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995316401
Publication number (International publication number)：1997162302
Application date： Dec. 05, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体基体1の素子形成領域の主面に他の領域と分離された島領域を形成し、この島領域の素子形成領域の主面にMISFETを塔載する半導体集積回路装置の集積度を高めることができない。また、前記MISFETのしきい値電圧の安定化を図ることができない。【解決手段】 前記半導体集積回路装置であって、前記島領域3A(又は3B)の素子形成領域の主面の一部の領域に前記MISFETQp(又はQn)のソース領域及びドレイン領域を配置し、前記島領域3A(又は3B)の素子形成領域の主面の他部の領域に、前記MISFETQp(又はQn)のチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域10A(又は9A)を配置する。

Claim (excerpt)：

半導体基体の素子形成領域の主面に他の領域と絶縁分離された島領域を形成し、この島領域の素子形成領域の主面にMISFETを塔載する半導体集積回路装置であって、前記島領域の素子形成領域の主面の一部の領域に前記MISFETのソース領域及びドレイン領域を配置し、前記島領域の素子形成領域の主面の他部の領域に、前記MISFETのチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域を配置したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5)：

H01L 27/08 321 F ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 Y ,  H01L 29/78 613 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-205356
  
• 特開平4-259259
  
• 特開昭55-058543
  
• 特開昭59-220961