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J-GLOBAL ID:200903001503328889
下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998186575
Publication number (International publication number):1999072925
Application date: Jul. 01, 1998
Publication date: Mar. 16, 1999
Summary:
【要約】【課題】 下層膜をパターニングする方法において、その上層のレジストパターンの膜減りを抑制するとともに、垂直な側壁を有し、断面が矩形の良好な形状を有するパターンを高い解像度、かつ高い寸法精度で形成する方法を提供する。【解決手段】 被加工膜上に下層膜を形成する工程と、前記下層膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜及び下層膜をパターン露光する工程と、前記露光後のレジスト膜及び下層膜の所定の領域を現像液で現像処理する工程とを具備するパターン形成方法である。前記下層膜は、酸の作用によって前記現像液に対する溶解性が変化する特性を有し、前記レジスト膜及び下層膜の少なくとも一方は、前記酸を発生する化合物を含有することを特徴とする。
Claim (excerpt):
酸によって分解する置換基を有し分解後にアルカリ可溶性基を生じる化合物と、前記酸を発生する酸発生剤とを含有する下層膜用組成物。
IPC (3):
G03F 7/11 503
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/11 503
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 574
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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放射線感応性樹脂組成物及びこれを用いたパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-306954
Applicant:沖電気工業株式会社
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パタン形成方法及びそれに用いるフォトレジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-089029
Applicant:株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社
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パターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-001807
Applicant:株式会社東芝
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レジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-242081
Applicant:富士通株式会社
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レジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-267672
Applicant:大日本印刷株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-010668
Applicant:株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社
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