非磁性セラミックスとその製造方法及びこれを用いた磁気ヘッド用基板

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001275417
Publication number (International publication number)：2003089573
Application date： Sep. 11, 2001
Publication date： Mar. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】磁気ヘッドにおける素子部の放熱性が低く、安定した浮上高さを保持できない。【解決手段】Al2O3を主成分とし、SiCを30〜46重量%含有してなるムライト相を有する非磁性セラミックスであって、X線回折におけるSiCのピーク強度の最大値に対する3Al2O3・2SiO2(ムライト)のピーク強度の最大値の比が0.04以下である。

Claim 1：

Al2O3を主成分として、SiCを30〜46重量%含有してなるムライト相を有する非磁性セラミックスであって、X線回折におけるSiCのピーク強度の最大値に対する3Al2O3・2SiO2(ムライト)のピーク強度の最大値の比が0.04以下であることを特徴とする非磁性セラミックス。

IPC (4)：

C04B 35/10 , G11B 5/31 , G11B 5/39 , G11B 5/60

FI (4)：

G11B 5/31 G , G11B 5/39 , G11B 5/60 B , C04B 35/10 E

F-Term (19)：

4G030AA36 , 4G030AA47 , 4G030BA13 , 4G030BA19 , 4G030CA01 , 4G030GA04 , 4G030GA05 , 4G030GA14 , 4G030GA29 , 5D033BA52 , 5D033CA07 , 5D033DA31 , 5D034BA16 , 5D034CA02 , 5D034DA07 , 5D042NA02 , 5D042PA08 , 5D042PA09 , 5D042SA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開昭63-018511
半導体装置用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-005466 Applicant：富士電機株式会社
特開昭62-250506